![]() |
![]() |
![]() |
#11 | |
Матёрый пользователь
Регистрация: 22.03.2009
Адрес: Тверь
Сообщений: 2,733
Вы сказали Спасибо: 2,106
Поблагодарили 1,146 раз(а) в 487 сообщениях
![]() |
![]() Цитата:
Вкратце: любой p-n-переход в результате диффузии основных носителей заряда создаёт диффузионное электрическое поле, направленное от n-области к p-области. Контактная разность потенциалов (потенциальный барьер) зависит от материала перехода. Для германиевого перехода 0,3...0,4 В, у кремниевого - 0,7...0,8 В. При приложении к диоду прямого напряжения ток через него не будет идти, пока не будет превышен потенциальный барьер, т.е. напряжение приложено, а тока нет. Это напряжение мы и называли пороговым... Обратное напряжение - это не характеристика диода, а внешнее воздействие на него. При достижении обратным напряжением, приложеным к диоду, некоего критического для перехода значения, обратный ток резко увеличится, т.е. произойдёт пробой диода, а обратное напряжение, при котором это происходит, называется пробивным и указано в классе прибора. Короче, Ойген, повторите электронику, Вы её подзабыли... |
|
![]() |
![]() |
Здесь присутствуют: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1) | |
|
|
|
![]() Что это? |